米国の厳しい輸出規制を受け、中国が半導体産業の国内サプライチェーン構築を急いでいる。政府主導の巨額投資を背景に、SMIC（中芯国際集積回路製造）やファーウェイ（ファーウェイ技術）などが技術開発を牽引する一方、製造装置や素材の国産化には依然として大きな課題が残る。

国家主導で進む「自給自足」

中国政府は、国家戦略「中国製造2025」などで半導体産業を最重要課題に位置付けている。「国家集積回路産業投資基金」（通によると「大基金」）などを通じて、国内の半導体設計、製造、後工程（OSAT）の企業群に数兆円規模の資金を投じ、産業全体の底上げを図ってきた。

この動きは、米国のエンティティリスト（事実上の禁輸リスト）指定や、先端半導体製造装置の輸出規制強化に対抗し、技術的な自立を達成することが目的だ。国内での設計から製造まで一貫して完結させるエコシステムの構築を目指している。

SMICとファーウェイが開発を牽引

こうした国家支援の下、中国最大のファウンドリ（半導体受託製造）であるSMICは、米国の規制にもかかわらず、7nm（ナノメートル）プロセスの量産に成功したと報じられている。このチップは、2023年に発売されたファーウェイのスマートフォン「Mate 60 Pro」に搭載され、中国の技術力の進展を世界に示した。

また、ファーウェイ傘下の半導体設計企業ハイシリコン（HiSilicon）は、米国のEDA（電子設計自動化）ソフトウェアへのアクセスが制限される中で、独自のチップ設計能力を向上させている。新華社通信は、こうした国内企業の奮闘が「技術的封鎖を打ち破る鍵だ」と伝えている。

製造装置・素材の国産化が最大の課題

一方で、中国の半導体サプライチェーンにおける最大の弱点は、露光装置（リソグラフィ）をはじめとする先端製造装置と、高純度のフォトレジストなどの化学材料である。これらの分野は、オランダのASMLや日本の東京エレクトロン、信越化学工業などが世界市場を寡占している。

中国企業がこれらの先端分野で短期間に追いつくのは困難とみられている。中国政府は国内の装置・素材メーカーの育成を急いでいるが、最先端プロセスに対応できるレベルには至っておらず、サプライチェーン全体の完全にな自立にはなお時間がかかる見通しだ。

結論：日本への示唆

中国の半導体国産化加速は、日本のサプライヤーにとって二極化された影響をもたらす。まず、SMICが7nmプロセス量産に成功し、ファーウェイのMate 60 Proに搭載された事実は、中国が米国の規制下でも一定の技術的進歩を遂げている証左だ。これは、日本が強みを持つ半導体製造装置や素材分野において、中国市場の特定セグメントで競争環境が激化する可能性を示唆する。特に、中国政府が数兆円規模の資金を投じ、国内企業育成を急ぐ中で、将来的には日本の東京エレクトロンや信越化学工業といった企業が、中国市場でのシェアを維持するために、より差別化された技術やサービスを提供する必要に迫られるだろう。

一方で、中国の製造装置・素材の国産化には依然として課題が残るとの記事にある通り、最先端分野での日本の優位性は当面維持される。例えば、露光装置や高純度フォトレジストといった分野では、中国が短期的に追いつくのは困難とされており、日本のサプライヤーは引き続き中国市場における重要な供給源であり続ける。しかし、中国が中低位プロセス向けの装置・素材で国産化を進めることで、日本の半導体関連企業は、より高付加価値な先端技術分野への集中や、新たな市場開拓を加速させる必要がある。中国の技術自立は、日本の半導体産業にとって、単なる脅威ではなく、技術革新と市場戦略の再構築を促す契機と捉えるべきだ。