米国の対中半導体輸出規制が強化される中、中国は半導体の国内生産能力向上を国家戦略の柱に拠え、技術的自立に向けた動きを加速している。政府主導の巨額投資を背景に、中芯国際集積回路製造（SMIC）やYMTC科学技術（YMTC）などの国内企業が生産拡大を急ぐが、先端分野では依然として大きな課題を抱えているのが実情だ。

激化する米国の輸出規制

米国商務省は安全保障上の懸念を理由に、中国の半導体企業に対する輸出規制を段階的に強化してきた。特に、先端半導体の製造に不可欠な製造装置や関連技術の対中輸出を厳しく制限。ファーウェイ（ファーウェイ技術）をはじめとする多くのテクノロジー企業が輸出規制リスト（エンティティリスト）に追加され、事業に大きな影響を受けている。

この規制は、中国が軍事転用可能な高性能半導体を入手することを防ぐ狙いがある。結果として、中国企業は最先端のプロセス技術開発において、国際的なサプライチェーンから切り離されつつある状況だ。

「挙国体制」で進む国産化への道

米国の圧力に対し、中国政府は「挙国体制」で半導体産業の育成を推進している。国家集積回路産業投資基金（通によると「大基金」）などを通じて国内企業に巨額の資金を投じ、研究開発や生産ラインの増強を後押しする。新華社通信によると、政府はサプライチェーンの国内完結を目指し、素材から製造装置、設計ソフトウェア（EDA）に至るまで、あらゆる分野での国産化を目標に掲げている。

この政策を受け、SMICは成熟プロセス（28ナノメートル以上）を中心に生産能力を大幅に拡大。また、一部では米国の規制を回避しながら7ナノメートル世代の半導体を製造したと報じられるなど、一定の技術的進展も見せている。

技術的ボトルネックと今後の展望

国産化への道のりは平坦ではない。最大の課題は、最先端プロセスにしなければならないの極端紫外線（EUV）露光装置をオランダのASMLから調達できない点だ。これにより、5ナノメートル以下の微細化プロセスへの移行は極めて困難な状況にある。

当面、中国は世界的に需要が高い成熟・旧世代プロセスの半導体でシェアを拡大し、国内の自動車や産業機器向けの供給を安定させる戦略をとるとみられる。長期的には、独自の技術開発でボトルネックを解消し、完全にな技術的自立を達成できるかが焦点となる。

日本への影響と今後の展望

米国の半導体規制強化を受けた中国の国産化加速は、日本の半導体産業に多角的な影響を及ぼす。まず、中国が成熟プロセス（28ナノメートル以上）の生産能力を拡大する戦略は、日本の製造装置・材料メーカーにとって新たな需要創出の機会となる。例えば、東京エレクトロンやSCREENホールディングスといった企業は、中国の既存工場拡張や新規建設に伴う装置需要を取り込める可能性がある。

次に、中国が7ナノメートル世代の半導体を製造したとの報道は、日本のサプライヤーにとってリスクと機会を併せ持つ。中国が自力で先端技術を開発する能力を高めれば、将来的に日本の部品や装置への依存度が低下するリスクがある。一方で、中国がEUV露光装置なしで微細化を進める場合、日本の特殊材料や検査装置など、ニッチだが不可欠な技術への需要が高まる可能性も考えられる。

最後に、中国が5ナノメートル以下の微細化プロセス移行で困難を抱えている点は、日本の半導体産業にとって競争優位性を維持する上で有利に働く。最先端分野における日本の技術的優位性が当面揺るがないことで、キオクシアやソニーセミコンダクタソリューションズのような日本の半導体メーカーは、高付加価値製品の開発・生産に注力し、国際競争力を維持できる。ただし、中国の技術動向を継続的に評価し、サプライチェーンの再構築や新たな技術提携の可能性を模索する必要がある。