米国の半導体輸出規制強化を受け、中国が国家主導で半導体産業の自給率向上を急いでいる。政府系ファンドによる巨額投資で国内生産能力の増強を図るが、先端分野では米国やその同盟国との技術格差が依然として大きく、国産化への道は平坦ではないという構図だ。

激化する米国の対中半導体規制

米国商務省は近年、安全保障上の懸念を理由に、中国に対する半導体関連の輸出管理規則（EAR）を段階的に強化している。特に、先端ロジック半導体やメモリーの製造に不可欠な米国製の製造装置、設計ソフトウェア（EDA）の輸出を厳しく制限。ファーウェイ（ファーウェイ技術）やSMIC（中芯国際集積回路製造）といった中国の主にテクノロジー企業が規制対象リストに加えられた。

この規制の目的は、中国が先端半導体を軍事転用することを防ぎ、米国の技術的優位性を維持することにある。日本やオランダなど、主にな半導体製造装置供給国も米国の要請に同調しており、中国は国際的な包囲網に直面している。

国家主導で進む「半導体強国」への道

米国の制裁に対し、中国政府は「半導体強国」の実現を国家目標に掲げ、国内産業の育成に総力を挙げている。「国家集積回路産業投資基金」（通によると「大基金」）などを通じて、国内の半導体メーカーや設計企業に巨額の資金を投入。税制優遇や補助金といった多角的な支援策も講じている。

こうした国家支援を背景に、SMICが7nm（ナノメートル）プロセスの半導体を製造したと報じられるなど、一部では成果も見られる。また、自動車や家電などに使われる汎用的なレガシー半導体の分野では、生産能力を急速に拡大していると新華社通信は伝えた。

残る技術格差とサプライチェーンの課題

しかし、最先端分野における課題は山積している。特に、回路線幅が5nm以下の微細化プロセスに不可欠なEUV（極端紫外線）露光装置は、オランダのASMLが市場を独占しており、米国の規制によって中国への輸出が絶たれている。この「EUVの壁」が、中国の先端半導体開発における最大の足かせとなっている。

また、巨額投資の一方で、プロジェクトの失敗や投資効率の悪さも指摘されており、資金と技術、そして高度な専門人材の不足が依然として大きな課題だ。中国の半導体産業は、当面はレガシー分野でのシェア拡大を図りつつ、先端技術の国産化に向けた長い挑戦を続けることになるだろう。

日本企業への示唆

米国の半導体輸出規制強化は、日本企業に直接的な事業機会とリスクをもたらす。中国が国家主導でレガシー半導体の生産能力を急速に拡大している点は、日本の自動車部品や家電メーカーにとって、特定の半導体の安定調達先が多様化する可能性を意味する。特に、新華社通信が伝える汎用半導体の増産は、これまで台湾や韓国に集中していたサプライチェーンのリスク分散に寄与しうる。

一方で、中国がEUV露光装置の入手困難により5nm以下の先端プロセスで国際的な技術格差を抱える現状は、日本の半導体製造装置メーカーにとって、中国市場における先端装置の販売機会が長期的に制限されることを示唆する。例えば、東京エレクトロンやSCREENホールディングスといった企業は、中国での先端装置販売戦略の見直しを迫られる。ファーウェイなど規制対象企業との取引は、EARに抵触しないよう厳格なコンプライアンス体制が不可欠となる。

さらに、中国政府が「国家集積回路産業投資基金」を通じて国内企業に巨額の資金を投入し、自給率向上を目指す動きは、日本の半導体素材や部品メーカーが中国企業との競争に直面する可能性を高める。中国の国内サプライヤーが技術力を向上させ、日本からの輸入依存度を低下させることで、日本の関連企業の売上が減少するリスクが存在する。例えば、信越化学工業やSUMCOは、中国の国産化動向を注視し、新たな市場戦略を構築する必要がある。