米国の対中半導体規制は、先端製造装置からそれに不可欠な化学材料へと対象を広げつつあり、地政学リスクが半導体供給網の新たな火種となっている。特に、2ナノメートル以下の次世代半導体製造に必須のEUV（極端紫外線）リソグラフィー技術。その心臓部である露光装置はオランダASMLが独占するが、その性能を100%引き出すための感光材「フォトレジスト」は、JSRや信越化学工業など日本企業が世界市場の約9割を供給する。この「戦略物資」を巡り、米中両国と、東京エレクトロンなど日本の製造装置メーカーを巻き込んだ新たな主導権争いが始まった。これは日本の技術投資家や現役エンジニアにとって、自社の技術的立ち位置と供給網の脆弱性を再評価する契機となる。

EUV露光装置、供給網の隘路

先端半導体製造における競争力の源泉は、EUVリソグラフィー技術の掌握にある。オランダのASMLは、この分野で唯一の量産装置メーカーとして市場を独占する。同社の最新鋭機である高NA（開口数）EUV露光装置「EXE:5200」は、1台あたりの価格が3億5000万ユーロ（約600億円）を超え、TSMC（台湾積体電路製造）、インテル、サムスン電子といった半導体大手が導入を競っている。この装置は、レンズの開口数を従来機の0.33から0.55に高めることで、回路線幅を8ナノメートルまで微細化でき、既存のEUV装置「NXE:3800E」比で解像度を1.7倍向上させたとされる。しかし、ASMLの2023年第4四半期決算報告によれば、EUV装置の出荷台数は年間50〜60台程度に留まり、需要に対して供給能力が追いついていないのが実情だ。この生産律速の背景には、ドイツのツァイス製巨大ミラーや日本のギガフォトン製レーザー光源など、数万点に及ぶ部品供給網の複雑性が存在する。一つの部品供給が滞れば、最先端の半導体工場全体の生産計画が頓挫する危うさをはらんでいる。

なぜ日本の化学素材が急所となるのか？

EUV技術の核心は、波長13.5ナノメートルという極端に短い光をシリコンウエハー上に照射し、原子規模の精密さで回路パターンを焼き付ける点にある。この物理原理を成立させるのが、ウエハー上に塗布される化学薬品「フォトレジスト」だ。光に反応して化学構造が変化し、後のエッチング工程（回路を彫り込む工程）でマスクとして機能する。このEUV用フォトレジストの世界市場において、JSR、信越化学工業、東京応化工業、富士フイルムといった日本企業群が合計で約9割のシェアを握る。この状況は、2019年に日本政府が韓国向けに輸出管理を厳格化したフッ化水素など3品目を想起させる。代替材料への切り替えは、顧客である半導体メーカー側で数年にわたる認定プロセスを要するため極めて困難だ。レジストに含まれるごく微量の不純物が、数兆円規模の半導体工場の歩留まりを数パーセント単位で悪化させる直接原因となりうるためである。業界調査会社Techno Systems Researchの2022年の調査では、EUVレジスト市場は約7億ドル規模だが、その戦略的価値は金額をはるかに上回る。米国の規制当局がこの供給網の急所を見逃すとは考えにくい。

規制が招く「迂回生産」と技術拡散

米国商務省産業安全保障局（BIS）が2022年10月7日に発表した対中半導体輸出規制は、先端ロジック半導体（16/14ナノメートル以下）やDRAM（18ナノメートルハーフピッチ以下）の製造に関わる米国製装置・技術の輸出を厳格に制限するものだった。しかし、規制後も中国の半導体メーカーは、一つ前の世代であるDUV（深紫外線）露光装置を複数回使用する「マルチプル・パターニング」技術を駆使し、7ナノメートル世代の半導体を製造したと報じられている。この「迂回生産」は、規制の実効性に疑問を投げかけると同時に、非先端分野での技術蓄積を中国に許す結果を招いた。SEMI（国際半導体製造装置材料協会）が2024年3月に公表した統計によれば、2023年の中国の半導体製造装置市場は前年比29%増の366億ドルに達し、世界最大となった。これは、規制対象外である旧世代装置の輸入が急増したことを示している。米国のApplied MaterialsやLam Research、そして日本の東京エレクトロンも、規制の範囲内で中国向けビジネスを継続しており、地政学的な緊張と商業的利益の狭間で複雑な舵取りを迫られている。

製造装置業界の静かなる変化

日本の半導体製造装置メーカーは、米国の規制強化に同調する姿勢を見せつつも、巨大な中国市場への依存という現実から目を背けられない。世界第3位の東京エレクトロン（TEL）が公表した2024年3月期決算では、地域別売上高における中国向け比率が前年度の24%から47%へと急増した。これは米国の規制強化を受け、中国企業が規制対象外の装置を駆け込みで大量に購入した影響が大きい。一方で、先端EUV関連では、TELは塗布・現像装置（コータ・デベロッパ）で世界シェアのほぼ100%を維持しており、ASMLの露光装置とは不可分一体の関係にある。また、レーザーテックはEUVマスクブランクス（回路原版）の欠陥検査装置で市場を独占し、アドバンテストは先端半導体の性能を測るテスターで高いシェアを持つ。これらの「測る」「塗る」「洗う」「削る」といった周辺工程を日本企業が固めている構造が、日本の半導体産業における戦略的価値の源泉である。しかし、それは同時に、米中の対立が激化した場合、日本企業が取引停止などの圧力を受けるリスクを内包することを意味する。

日本企業が直面する選択

地政学的な断裂は、半導体供給網において日本企業が持つ「戦略的不可欠性」を浮き彫りにした。EUV用フォトレジストや各種製造装置における圧倒的な世界シェアは、外交上の強力な交渉カードとなりうる。国内で2ナノメートル半導体の量産を目指すラピダス（Rapidus）の成否も、これら国内の材料・装置メーカー群との連携深度に懸かっている。しかし、この優位性は諸刃の剣でもある。米国の規制がさらに厳格化し、日本企業に特定国への材料・装置の供給停止を求める事態も想定される。その場合、東京エレクトロンの売上高の4割以上を占める巨大市場を失う覚悟を迫られる可能性がある。経営層や技術投資家は、目先の収益機会と、長期的な技術覇権を巡る日米欧の枠組みへの参画という二つの軸で、自社の立ち位置を再定義する必要に迫られている。サプライチェーンのリスク評価は、もはや単なるコスト計算ではなく、国家間の力学を読み解く高度な戦略分析へと変貌した。企業は、自社の技術が供給網のどの部分を担い、地政学的にどのような価値と脆弱性を持つのかを、今一度精密に棚卸しすべき時期に来ている。