🇺🇸 ACTIVE U.S. SANCTION

CXMT (長鑫存儲)

ChangXin Memory Technologies / 长鑫存储

BIS Entity List Entity List 📅 追加 2024-12-02 📍 CN 🏭 半導体
⚠️ 影響度スコア
75

日本企業 / サプライチェーンへの影響度

🛡️ 適応スコア
40

制裁を乗り越える戦略の評価

JSON (有料)
📅 最終更新: 2026-07-03 03:00 JST 今日
本ページは 3 段ハイブリッド自動更新システムで管理されています: 🟢 毎日 03:00 軽量更新 / 🟡 毎週月曜 06:00 AI 更新 / 🔴 毎月 1 日 03:00 深い更新
📋 更新履歴を表示 (直近 1 件)
  • 2026-05-18 06:00:00 🟡 AI 更新 (Weekly) timeline_json / key_facts_json / share_price_impact

📌 ひと目で分かる重要事実

決定した米政権 🏛️ Biden (2021-2025)
大統領令 / 法的根拠 📜 BIS 10/2022 規制
株価インパクト (発表時) 📉 CXMTは非上場企業のため直接的な株価への影響はない。しかし、同社の国産装置による先端プロセス量産成功の報は、中国国内の半導体装置メーカーや材料メーカーの株価にポジティブな影響を与え、関連銘柄が軒並み

💡 注目ポイント (一般メディアで語られにくい裏情報)

  • 中国国内製のArF液浸リソグラフィ装置を用いた1z nmプロセスDRAMの量産に成功。
  • 国家集積回路産業投資基金フェーズIIIから200億元の追加投資を獲得。
  • 先端DRAM製造におけるサプライチェーンの国産化で大きな進展を達成。

⚖️ 制裁機関

BIS Entity List

米商務省 — 米国製品輸出に許可必要

📋 制裁理由

中国唯一の DRAM メーカー、HBM 開発で米中緊張のエスカレーション。

🚫 制裁範囲

米製造装置 (Applied Materials/Lam Research/KLA) の禁輸

🕓 制裁経緯 タイムライン

  1. CXMTは、国内パートナーと共同開発した初の国産ArF液浸リソグラフィ装置を用い、1z nmプロセスDRAMの量産を開始したと公式発表。先端メモリ製造における海外技術への依存度を大幅に低減させる重要な一歩となる。

    一次ソース ↗
  2. 中国の国家集積回路産業投資基金(大基金)フェーズIIIが、CXMTの次世代技術開発と生産能力拡大のため、200億元の追加投資を決定したと主要経済メディアが報じた。国家的な半導体自給自足戦略の中核を担う。

    一次ソース ↗
📖 制裁機関 用語解説 (初心者向け、クリックで展開)
BIS (Bureau of Industry and Security)
米商務省 産業安全保障局。米国原産品目の輸出規制を管轄。
Entity List
BIS が管理する「米国の国家安全保障/外交政策に反する活動に関与した」と認定された組織のリスト。掲載されると米国原産品目の輸出には個別ライセンスが必要となり、原則拒否される。
FDPR (Foreign Direct Product Rule)
米国製造装置・米国原産技術 / ソフトを使って製造された製品に米国規制を域外適用するルール。Huawei への 2020 年適用が画期的。

📊 基本情報

英語名
ChangXin Memory Technologies
日本語名
CXMT (長鑫存儲)
中国語名
长鑫存储
所在国
CN
本社
安徽省合肥市
制裁機関
BIS Entity List
リスト名
Entity List
追加日
2024-12-02
関連産業
半導体

📰 CXMT (長鑫存儲) 関連ニュース

CHINAPOST 編集部が公開した関連記事を自動抽出 (タイトル・本文の名称マッチ)。

🔄 関連する制裁対象 (同産業 / 同制裁機関)